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半导体材料

抛光片

 

FZ抛光片规格

FZ polished wafers Specifications

品种

导电

类型

晶向

直径范围(mm)

电阻率范围(Ω.cm )

几何参数赶炬南、颗粒度

及表面金属

本征及超高阻区熔硅

抛光片(FZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

>1000

T260(μ m)

TTV2(μ m)

TIR2(μ m)

STIR1 (μ m)(20*20)

颗粒度≤10pcs(≥0.3um)谁娄兰,

≤20pcs0.2um)

表面金属≤ 5E10/cm2

BSD密度>1E106/cm2

         Poly皋费聪:5000-12000 Å

中子辐照区熔硅抛光片(NTDFZ

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔硅抛光片

CFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂区熔硅抛光片(GDFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

 

CZ抛光片规格

CZ polished wafers Specifications

品种

导电类型

晶向

直径范围(mm)

电阻率范围(Ω.cm)

几何参数海、颗粒度

及表面金属

磁场直拉硅抛光片(MCZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

T260(μ m)

TTV2(μ m)

TIR2(μ m)

STIR1 (μ m)(20*20)

颗粒度≤10pcs(≥0.3um松,≤20pcs(≥0.2um

表面金属≤5E10/cm2

BSD密度>1E106/cm2

LTO人双:35008000±250Å

直拉硅单晶抛光片(CZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

直拉重掺硅抛光片

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-1

 

 

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