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半导体材料

区熔硅单晶

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon

通过区熔工艺拉制的低杂质含量变磋蹈、低缺陷密度悼,晶格结构完美的硅单晶腾,晶体生长过程中不引入任何杂质恃檬,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上磨菲,主要用于制作高反压器件和光电子器件扒途。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon

本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶堂窜苟,保证了器件制作的成品率和一致性苇问内。主要用于制作硅整流器(SR)秦、可控硅(SCR)瞳搽、巨型晶体管(GTR)酪、晶闸管(GRO)噶定强、静电感应晶闸管(SITH)朽、绝缘栅双极晶体管(IGBT)敌鼓、超高压二极管(PIN)呛谭、 智能功率器件(SMART POWER)莫面华、功率集成器件(POWER IC)等片福朵,是各类变频器镁艾铂、整流器首灌豌、大功率控制器件瓷茅撂、新型电力电子器件的主体功能材料澄,也是多种探测器赤珐冀、传感器钠魏、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料毖。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon

利用杂质的扩散机理食焊,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质澜效讨,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题协,可得到N型或P型筐动颊、电阻率范围0.001-300Ω.cm肩,电阻率均匀性与中子辐照相当的气掺硅单晶佬介,其电阻率在适用于制作各类半导体功率器件芜砷敬、绝缘栅双极晶体管(IGBT)搬逝、高效太阳能电池等呈酗割。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon

采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶侈袱,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间集屏伦。可掺入特殊元素例如镓(Ga)佛、锗(Ge)等轻雌千。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片娥,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片砍,太阳能电池转换效率高达24-26%械。产品主要应用于特殊结构骋、背接触笔巫贿、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上嫁憨,并更为广泛的用于LED猛铺、功率器件擅抚、汽车劫且费、卫星等众多产品和领域中侩驰火。

 

区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

高阻

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1000

中子辐照(NTD

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔(CFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂(GD

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

硅片规格

  Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

 

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